本發(fā)明公開了一種準(zhǔn)單晶硅片微缺陷的檢測方法,包括如下步驟:(1)手動機械拋光:將待腐蝕的準(zhǔn)單晶硅片進行手動機械拋光,并用去離子水沖洗;(2)化學(xué)腐蝕拋光:將機械拋光清洗后硅片進行化學(xué)腐蝕拋光,用去離子水進行沖淋;(3)微缺陷的擇優(yōu)腐蝕:將化學(xué)腐蝕拋光后硅片進行微缺陷的擇優(yōu)腐蝕,用去離子水進行沖淋,烘箱內(nèi)干燥;(4)微缺陷觀察方法:將腐蝕后硅片進行少數(shù)載流子壽命和鐵-硼對面掃描;結(jié)合金相顯微鏡觀察少數(shù)載流子壽命掃描顏色分布,對缺陷部位進行精確定位,按缺陷類型進行分類,定位將硅片切割成小片,做好標(biāo)記;有益效果:本發(fā)明的測試方法快速準(zhǔn)確,節(jié)能環(huán)保,無污染,實用性強。
聲明:
“準(zhǔn)單晶硅片微缺陷的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)