本發(fā)明提供了一種基于紅外光學(xué)干涉法的半導(dǎo)體晶圓膜厚檢測裝置,涉及半導(dǎo)體晶圓的化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。包括晶圓承載移動機(jī)構(gòu)、激光器總成和數(shù)據(jù)檢測控制電路,其特征在于所述的激光器總成為位置可移動式激光器總成,晶圓承載移動機(jī)構(gòu)為晶圓承載轉(zhuǎn)動機(jī)構(gòu)。采用該發(fā)明裝置能夠?qū)A的表面進(jìn)行多點檢測從而了解晶圓表面膜層的厚度和分布情況,以確定下一步拋光過程的工藝參數(shù),從而完善了拋光工藝過程,提高產(chǎn)品質(zhì)量。特別適用于半導(dǎo)體晶圓的化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備上。
聲明:
“基于紅外光學(xué)干涉法的半導(dǎo)體晶圓膜厚檢測裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)