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一種自組裝形成尺寸可控的硅納米晶薄膜的制備方法

931 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 06:32:51

本發(fā)明涉及一種自組裝形成尺寸可控的硅納米晶薄膜的制備方法，主要步驟如下：首先，鍍膜前預處理后利用Ar離子對Si靶和C靶進行磁控共濺射，調(diào)整Si和C靶的濺射功率，在硅和玻璃基體上交替沉積多層結(jié)構的非晶硅/碳薄膜；然后，在氮氣氣氛中分階段退火，形成α-SiC/nc-Si多層結(jié)構薄膜。此類薄膜形成的硅納米晶尺寸在2-10nm范圍內(nèi)可控，同時硅納米晶的密度亦可控，此尺寸范圍的硅納米晶的光學帶隙在2.7-1.8eV范圍內(nèi)可控改變。本發(fā)明超晶格結(jié)構Si/C多層薄膜形成尺寸和密度可控的硅納米晶，進而調(diào)整其吸收光譜范圍，并顯著提高所用材料光電轉(zhuǎn)換效率。此類薄膜有望大幅提高硅基光伏器件的光吸收范圍和光電轉(zhuǎn)換效率。

聲明：

“一種自組裝形成尺寸可控的硅納米晶薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)