本發(fā)明提供了一種基于硫化鎢納米片的阻變存儲(chǔ)器及其制備方法,所述憶阻器的結(jié)構(gòu)從下到上依次包括Pt襯底、在所述Pt襯底上形成的第一ZrO
2阻變層、在所述第一ZrO
2阻變層上形成的WS
2納米片介質(zhì)層、在所述WS
2納米片介質(zhì)層上形成的第二ZrO
2阻變層以及在所述第二ZrO
2阻變層上形成的Ag電極層。本發(fā)明提供的阻變存儲(chǔ)器通過(guò)性能檢測(cè)證明其具有良好的阻變特性,呈現(xiàn)出較為穩(wěn)定的阻值變化,高電阻值和低電阻值之間相差較大,不容易造成誤讀,而且該WS
2納米片阻變存儲(chǔ)器在高阻態(tài)和低阻態(tài)下的抗疲勞特性均比較優(yōu)異。
聲明:
“一種基于硫化鎢納米片的阻變存儲(chǔ)器及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)