本實(shí)用新型公開(kāi)了一種等離子輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其包括有化學(xué)氣相沉積真空室,該化學(xué)氣相沉積真空室通過(guò)法蘭連接有真空系統(tǒng),所述化學(xué)氣相沉積真空室的兩側(cè)室壁各設(shè)有相對(duì)的能產(chǎn)生等離子體、且能通過(guò)調(diào)控磁鐵分布調(diào)控磁場(chǎng)以改變等離子體強(qiáng)度與分布的可調(diào)式磁控等離子源平板電極,該等離子源平板電極連接有中頻電源,所述化學(xué)氣相沉積真空室頂部設(shè)有二維工件轉(zhuǎn)臺(tái)。使用本實(shí)用新型等離子輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行的表面改性工藝不涉及任何廢水的產(chǎn)生及排放,符合環(huán)保的生產(chǎn)原則。表面改性工藝可賦予樣品表面附加功能,如防指紋、防霧、防靜電等,提高產(chǎn)品的附加價(jià)值。
聲明:
“等離子輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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