本發(fā)明公開(kāi)了基于石墨烯與納米結(jié)構(gòu)鈣鈦礦材料的光探測(cè)器及制備方法，包括一覆蓋有二氧化硅的硅襯底，硅襯底上設(shè)有石墨烯導(dǎo)電層，石墨烯導(dǎo)電層的中部分布有納米結(jié)構(gòu)有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦材料層，并形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，石墨烯導(dǎo)電層的左右兩端分別設(shè)有一電極層；硅襯底的最上方設(shè)有一鈍化層，鈍化層將石墨烯導(dǎo)電層、納米結(jié)構(gòu)有機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦材料層和兩個(gè)電極層全部覆蓋；位于兩個(gè)電極層上方的鈍化層上經(jīng)光刻和刻蝕分別形成電極的一個(gè)接觸孔，兩個(gè)接觸孔上分別淀積有金屬引出電極。本發(fā)明構(gòu)建光探測(cè)器件的技術(shù)與當(dāng)前的硅電子工藝平臺(tái)相比具有良好的兼容性，并且制備工藝簡(jiǎn)單，器件成功率高，具有實(shí)現(xiàn)快速、寬帶響應(yīng)、寬光譜光探測(cè)的極大潛力。