本發(fā)明公開了一種金剛石基場效應(yīng)晶體管的制備方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括以下步驟:在金剛石層的上表面形成導(dǎo)電層;在所述導(dǎo)電層的上表面覆蓋掩膜層;去除無源區(qū)域?qū)?yīng)的掩膜層和導(dǎo)電層;分別去除源區(qū)對(duì)應(yīng)的掩膜層和漏區(qū)對(duì)應(yīng)的掩膜層;分別在所述源區(qū)和所述漏區(qū)形成源區(qū)高摻雜區(qū)和漏區(qū)高摻雜區(qū);分別激活所述源區(qū)高摻雜區(qū)、所述漏區(qū)高摻雜區(qū)和所述導(dǎo)電層的載流子;分別在所述源區(qū)高摻雜區(qū)的上表面和所述漏區(qū)高摻雜區(qū)的上表面覆蓋第一金屬層,形成源極和漏極;在柵區(qū)對(duì)應(yīng)的掩膜層的上表面覆蓋第二金屬層,形成柵極。本發(fā)明能夠提高器件的耐擊穿特性,降低器件的歐姆接觸電阻。
聲明:
“金剛石基場效應(yīng)晶體管的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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