本發(fā)明涉及一種以高純二氧化硅和氫氣為原料制備
多晶硅的方法,屬于非金屬礦深加工技術(shù)領(lǐng)域。以高純H
2為還原劑、以高純SiO
2為硅源,先在高溫1250?1300℃下通入H
2,使SiO
2被還原成SiO,O與H
2反應(yīng)生成H
2O;然后再升溫到1350℃通入H
2,把溫度控制在1350?1400℃之間。此時SiO被H
2還原成高純Si,SiO中的O與H
2發(fā)生氧化還原反應(yīng)后生成H
2O,整個制備過程對環(huán)境無任何污染。
聲明:
“以二氧化硅和氫氣為原料制備多晶硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)