本發(fā)明涉及半導體器件技術領域,具體涉及一種PIM器件及其制造方法,包括覆銅陶瓷基板以及布設于覆銅陶瓷基板上的三相整流單元、三相逆變單元、制動單元和溫控檢測NTC器件;三相整流單元包括布設于覆銅陶瓷基板上的六個二極管
芯片以及與六個二極管芯片一一對應的clip銅片;三相逆變單元包括六個IGBT芯片、六個與六個IGBT芯片一一對應的clip發(fā)射極銅片和六個與六個IGBT芯片一一對應的clip控制極銅片;制動單元包括二極管芯片Ⅶ、IGBT芯片Ⅶ、clip銅片、clip發(fā)射極銅片和clip控制極銅片。本技術方案的PIM器件結構小巧、使用方便,將該PIM器件運用于相關電路中,可簡化電路結構,基于PIM器件采用的clip工藝,PIM器件性能穩(wěn)定,進一步使得使用該PIM器件的電路安全可靠。
聲明:
“PIM器件及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)