本發(fā)明是一種LAF系列晶體的坩堝下降生長(zhǎng)方 法, 其特征在于, 采取低溫固相氟化處理的方法和軟坩堝下降方法。以NH4F為氟化劑, 在80~150℃的溫度下加熱進(jìn)行為期3~4周的低溫減壓脫水, 然后在300℃左右經(jīng)24小時(shí)的減壓氟化, 再在560度以上的溫度下抽真空燒結(jié), 軟坩堝下降方法是以鉑金薄片在0.06——0.15mm厚度制作坩堝, 其尺寸為φ8——25mm, X250——300mm, 晶體生長(zhǎng)界面溫度為770——820℃, 溫度梯度控制在20——30℃/cm左右, 向上向下逐步減小, 生長(zhǎng)速度每天5——10mm, 直至生長(zhǎng)完成。
聲明:
“氟鋁酸鋰系列晶體的軟坩堝下降生長(zhǎng)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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