本發(fā)明公開了一種晶圓檢測(cè)缺陷的分類方法,包括如下步驟:步驟一、晶圓上用于形成多個(gè)
芯片,根據(jù)版圖定義出各芯片的各功能模塊的地址空間;步驟二、進(jìn)行缺陷檢測(cè)并記錄各缺陷的地址;步驟三、將各缺陷的地址和步驟一中的各功能模塊的地址空間進(jìn)行比對(duì),用所對(duì)應(yīng)的功能模塊的代碼來表示缺陷從而實(shí)現(xiàn)缺陷分類。本發(fā)明能將缺陷和晶圓的芯片的失效分析過程中的失效測(cè)試現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)明確對(duì)應(yīng),方便芯片的失效分析。
聲明:
“晶圓檢測(cè)缺陷的分類方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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