提供了在氮化硅蝕刻步驟期間除去膠態(tài)二氧化硅沉積物在高縱橫比結(jié)構(gòu)的表面上的生長的技術(shù)。使用高選擇性過蝕刻步驟以除去沉積的膠態(tài)二氧化硅。所公開的技術(shù)包括使用磷酸從具有形成在具有高縱橫比的窄間隙或溝槽結(jié)構(gòu)中的氮化硅的結(jié)構(gòu)中除去氮化硅,在所述結(jié)構(gòu)中通過水解反應(yīng)在所述窄間隙或溝槽的表面上形成了膠態(tài)二氧化硅沉積物。使用第二蝕刻步驟,其中形成膠態(tài)二氧化硅沉積物的水解反應(yīng)是可逆的,并且由于氮化硅的消耗,附近的磷酸中的二氧化硅的濃度現(xiàn)在較低,平衡驅(qū)動反應(yīng)向反方向進行,使沉積的二氧化硅溶解回溶液中。
聲明:
“用于處理氮化物結(jié)構(gòu)而沒有二氧化硅沉積的方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)