本發(fā)明公開了一種磷化硼一維
納米材料的制備方法,包括清洗Si襯底,烘干后鍍上催化劑備用;將有催化劑的Si襯底置于管式爐石英管中部;將管式爐密封后充滿惰性保護(hù)氣體,然后對(duì)其抽真空;抽真空排除O
2之后,在惰性氣體保護(hù)下加熱石英管,待其升溫至900~1000℃時(shí),通入硼源前驅(qū)體和磷源前驅(qū)體;反應(yīng)30~90min后,停止通入硼源和磷源前驅(qū)體,管式爐降溫至室溫,關(guān)閉惰性保護(hù)氣體,取出Si襯底。本發(fā)明采用Si襯底,通過易于操作的化學(xué)氣相沉積方法實(shí)現(xiàn)了磷化硼(BP)納米線的成功制備;本發(fā)明的制備方法易于操作,不需要復(fù)雜的工藝條件,工藝簡單,制得的磷化硼(BP)納米線質(zhì)量好,結(jié)晶度高,產(chǎn)率高,預(yù)期在中子探測器、光學(xué)探測器及微電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“磷化硼一維納米材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)