本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其為一種形成氮化物半導(dǎo)體器件的工藝,針對現(xiàn)有的氮化物半導(dǎo)體器件的抗靜電能力弱,很容易因靜電損耗氮化物半導(dǎo)體器件的特性的問題,現(xiàn)提出如下方案,該生產(chǎn)工藝包括以下步驟:S1:選擇襯底和半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體堆疊體,半導(dǎo)體堆疊體依次在襯底上生長成溝道層和阻擋層;S2:對上述生長成的溝道層和阻擋層的頂部進行蝕刻,以便在溝道層和阻擋層的頂部形成凹槽。本發(fā)明設(shè)計合理,在溝道層、阻擋層和接觸層的非接觸位置均包裹了橡膠,有效的避免了電荷在氮化物半導(dǎo)體器件表面的流動,解決了氮化物半導(dǎo)體器件抗靜電能力弱的問題,擴展了氮化物半導(dǎo)體器件的適用范圍。
聲明:
“一種形成氮化物半導(dǎo)體器件的工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)