本發(fā)明屬于微納制造相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,其公開了一種全無機
鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,所述光電探測器包括玻璃基底、CuPc空穴傳輸層、CsPbBr
3鈣鈦礦薄膜、MoO
x修飾層及Ag電極層,所述玻璃基底包括基底及形成在所述基底上的ITO導(dǎo)電層;所述CuPc空穴傳輸層形成在所述ITO導(dǎo)電層遠離所述基底的表面上;所述CsPbBr
3鈣鈦礦薄膜形成在所述CuPc空穴傳輸層遠離所述ITO導(dǎo)電層的表面上;所述MoO
x修飾層形成在所述CsPbBr
3鈣鈦礦薄膜遠離所述CuPc空穴傳輸層的表面上;所述Ag電極層形成在所述MoO
x修飾層遠離所述CsPbBr
3鈣鈦礦薄膜的表面上。本發(fā)明的生產(chǎn)成本低,適用性好,尤其適合大面積器件及器件陣列的高效制備。
聲明:
“全無機鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)