本申請公開了一種針對非均質(zhì)儲層的測井解釋方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。該方法包括:針對目標(biāo)層進(jìn)行巖性識別,建立目標(biāo)層單井連續(xù)巖性剖面;針對單井連續(xù)巖性剖面進(jìn)行儲層識別,提取各類儲層的測井響應(yīng)特征;計(jì)算每類儲層的孔隙度、滲透率與飽和度;根據(jù)孔隙度與流體類型針對儲層進(jìn)行分類,獲得儲層類型?流體類型組合分類結(jié)果;分別進(jìn)行電性曲線與儲層參數(shù)的兩兩交會,確定每一類儲層的電性與儲層參數(shù)界限值,建立多類型儲層測井解釋標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)行未知井的單井測井解釋。本發(fā)明將測井測量原理與地質(zhì)成因結(jié)合,通過對儲層巖石物理響應(yīng)剖析,進(jìn)行層層有效的儲層分類和計(jì)算模型轉(zhuǎn)換,提高儲層參數(shù)計(jì)算精度、儲層類型和流體識別率。
聲明:
“針對非均質(zhì)儲層的測井解釋方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)