本發(fā)明屬于集成電路制造領(lǐng)域,其公開了一種原子層沉積制備有機無機雜化鹵素
鈣鈦礦材料的方法,該方法主要包括兩部分:通過對材料基底進行3?氨基丙基三乙氧基
硅烷(APTES)與氫碘酸或者十三氟辛基三乙氧基硅烷(FOTS)等表面處理,實現(xiàn)含鉛前體的有效附著,能夠形成一層單分子層;通入有機銨鹽前體與單層含鉛前體反應(yīng)形成單層材料,多次循環(huán)得到最終的有機無機雜化鹵素鈣鈦礦光電材料。本發(fā)明方法利用氣相的原子層沉積方法,通過調(diào)控循環(huán)周期數(shù)進而得到所需厚度的薄膜材料,并且能夠制備出大面積均勻的鈣鈦礦薄膜,從而拓展有機無機雜化鹵素鈣鈦礦材料在
太陽能電池、光探測器、激光器等光電領(lǐng)域的應(yīng)用。
聲明:
“原子層沉積制備有機無機雜化鹵素鈣鈦礦材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)