本發(fā)明公開了
半導(dǎo)體材料硫化方法。本發(fā)明提供的方法包括以下步驟:將硫源與半導(dǎo)體材料置于不完全密封的容器,將所述不完全密封的容器置于反應(yīng)器中加熱進(jìn)行硫化反應(yīng),得到硫化的半導(dǎo)體材料。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體材料硫化方法可使半導(dǎo)體的晶粒尺寸變大,從而更好地晶化。對(duì)于作為
太陽能電池吸收層材料的半導(dǎo)體,還可以使其衍射峰變強(qiáng),并使其吸收更多的光。采用本發(fā)明提供的硫化方法對(duì)非晶硅太陽能吸收層材料進(jìn)行硫化,可以使其帶隙更加接近于硅材料的帶隙。本發(fā)明提供的方法可以對(duì)被處理的半導(dǎo)體起到退火作用,特別適用于銅鋅錫硫薄膜的硫化退火,且該方法中使用的裝置簡單,易于進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“半導(dǎo)體材料硫化方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)