本發(fā)明公開(kāi)了一種半固態(tài)振蕩熱壓燒結(jié)高硅
鋁合金電子封裝材料的制備方法,該方法以霧化沉積?快速凝固法制備得到的高硅
鋁合金粉末為原料;將原料裝入鋁包套后進(jìn)行預(yù)處理得到高硅鋁合金預(yù)制體;對(duì)得到的高硅鋁合金預(yù)制體在惰性氣體氣氛中進(jìn)行半固態(tài)振蕩熱壓燒結(jié)處理,制備得到高硅鋁合金初產(chǎn)品;對(duì)得到的高硅鋁合金初產(chǎn)品經(jīng)固溶和時(shí)效處理得到高硅鋁合金電子封裝材料;所述半固態(tài)振蕩熱壓燒結(jié)處理的溫度為630~680℃,振蕩壓力為35±5MPa。避免了完全液相狀態(tài)下粗大的初生硅的析出。與傳統(tǒng)的
粉末冶金法制備的高硅鋁合金電子封裝材料相比,硅相的擴(kuò)散與偏析可控,可有效提高致密化速率。
聲明:
“高硅鋁合金電子封裝材料的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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