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單晶硅太陽能電池片的干法刻蝕工藝

869 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 14:46:02

本發(fā)明涉及一種單晶硅太陽能電池片的干法刻蝕工藝。其特點是，包括如下步驟：（1）將裝好硅片的夾具放入等離子體刻蝕機腔體，硅片數量200～1000片；（2）抽真空；（3）通入反應氣體CF4和O2，控制CF4流量在190-210sccm，O2流量25-35sccm，直至工作壓力達到200-220psig；（4）輝光放電，氣體反應；（5）再次抽真空，然后恢復常壓；（6）打開腔體門，取出夾具，卸片即可。本發(fā)明提供了一種物理冶金法單晶硅太陽能電池片的干法刻蝕工藝，適用于125×125mm物理冶金法單晶硅太陽能電池，采用該工藝可以去除擴散后硅片邊緣的短路環(huán)，使刻蝕后的硅片符合工藝要求，杜絕過刻或刻不透。

聲明：

“單晶硅太陽能電池片的干法刻蝕工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)