本發(fā)明涉及一種陰離子摻雜的離子導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用,所述陰離子摻雜的離子導(dǎo)體材料具體為:在初始離子導(dǎo)體材料上進行陰離子摻雜取代,由摻雜取代離子取代初始離子導(dǎo)體材料中部分O
2?離子而得到的材料;其中,初始離子導(dǎo)體材料具體包括LISCION固態(tài)電解質(zhì)材料、NASCION型固態(tài)電解質(zhì)材料、
鈣鈦礦型固態(tài)電解質(zhì)材料或石榴石型固態(tài)電解質(zhì)材料中的一種或多種混合;摻雜取代離子包括F
?、Cl
?、Br
?、I
?、
S
2?、SO
42?、P
3?、NO
3?、NO
2?中的一種或多種。
聲明:
“陰離子摻雜的離子導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)