位置:中冶有色 >
> 探礦技術(shù)
本發(fā)明提供大顆粒鈣鈦礦單晶/聚合物復(fù)合厚膜、光電探測(cè)器及制法,制法包括:步驟1.將鈣鈦礦充分溶解得到飽和溶液,過(guò)濾后持續(xù)加熱制得鈣鈦礦單晶;步驟2.將鈣鈦礦單晶干燥后進(jìn)行機(jī)械碾磨和篩分得到鈣鈦礦單晶顆粒,真空干燥后得到直徑為500nm~10μm的單晶顆粒;步驟3.將單晶顆粒分散于聚合物溶液中,制成分散液;步驟4.將分散液旋涂在沉積有空穴傳輸層的透明導(dǎo)電基底上,制得大顆粒鈣鈦礦單晶顆粒與聚合物的復(fù)合厚膜,再將該復(fù)合厚膜在熱臺(tái)上退火,旋涂轉(zhuǎn)速為100~4000rpm。本發(fā)明提供的復(fù)合厚膜具有優(yōu)異的電荷傳輸性能、快響應(yīng)速度、高穩(wěn)定性、低暗電流和噪聲、制備簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)用新型涉及一種礦用防塵型激光氣體探測(cè)儀氣室,包括氣室座、蓋板、反光鏡片組、光纖準(zhǔn)直器和光電探測(cè)器,氣室座為上端開(kāi)口的槽型結(jié)構(gòu),蓋板密封安裝在氣室座的開(kāi)口端,反光鏡片組、光纖準(zhǔn)直器和光電探測(cè)器均安裝在氣室座的槽底上,氣室座上開(kāi)有接線孔,光纖準(zhǔn)直器和光電探測(cè)器的外接線路均由接線孔穿過(guò),蓋板上設(shè)有至少一個(gè)貫穿其的進(jìn)氣孔,每個(gè)進(jìn)氣孔處均密封設(shè)有銅粉燒結(jié)濾芯片,光纖準(zhǔn)直器的纖頭發(fā)射端發(fā)出光束照射到反光鏡片組上,經(jīng)反光鏡片組反射后由探測(cè)器裝置的接收端感光面接收。優(yōu)點(diǎn):結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,拆裝方便,利于后期維護(hù),測(cè)量準(zhǔn)確,精度較高,同時(shí),防塵效果較好,進(jìn)一步確保了測(cè)量的精度。
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種野外勘探用固體礦產(chǎn)鉆孔裝置。本實(shí)用新型包括:底座,且底座上開(kāi)設(shè)有操作口,所述底座的頂側(cè)固定安裝有兩個(gè)支撐板,兩個(gè)支撐板相互靠近的一側(cè)頂端固定安裝有同一個(gè)頂板,所述頂板上轉(zhuǎn)動(dòng)安裝有第一軸,所述第一軸的頂端固定套設(shè)有手輪,通過(guò)空心軸、U形輸送管、伸縮管、L形供水管、葉輪、方板、導(dǎo)向桿、彈簧等構(gòu)件之間的相互配合,方便在鉆進(jìn)的過(guò)程中進(jìn)行取水,同時(shí)能夠在鉆進(jìn)的過(guò)程中為空心鉆頭提供一定的緩沖,解決了現(xiàn)有的野外勘探用固體礦產(chǎn)鉆孔裝置在使用時(shí)需要專門配備供水泵進(jìn)行注水,同時(shí)在進(jìn)行鉆進(jìn)過(guò)程中無(wú)法有效的對(duì)空心鉆頭進(jìn)行緩沖,易造成空心鉆頭受力不均發(fā)生損壞的問(wèn)題。
本實(shí)用新型涉及一種便攜式礦用探管加壓裝置,至少包括承壓筒接頭,承壓筒,支架,連接管及液壓手動(dòng)泵,所述承壓筒接頭上設(shè)有手柄,承壓筒接頭一端為盲端,另一端開(kāi)口設(shè)有內(nèi)螺紋;承壓筒由腔室和導(dǎo)流頭組成,承壓筒一端設(shè)有外螺紋,通過(guò)螺紋與承壓筒接頭連接,承壓筒一側(cè)焊有兩個(gè)支架,承壓筒另一端為帶有內(nèi)徑為3~8mm的導(dǎo)流頭,連接管連接導(dǎo)流頭與液壓手動(dòng)泵。對(duì)探管進(jìn)行承壓測(cè)試時(shí),將探管從承壓筒的腔室一端裝入,探管上的繩索掛在掛鉤上,把液體灌入并溢出承壓筒的腔室,將承壓筒接頭與承壓筒旋緊后,用液壓手動(dòng)泵對(duì)承壓筒中的探管進(jìn)行加壓測(cè)試。本裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于攜帶、使用方便及價(jià)格經(jīng)濟(jì),能很好的滿足現(xiàn)場(chǎng)的需求。
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維大面積有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦及其制備、光電探測(cè)器。所述制備方法包括下列步驟:(1)將鹵化物前驅(qū)體粉末和表面鈍化劑分別加熱至不同溫度,使表面鈍化劑吸附于反應(yīng)源的表面,從而鈍化吸附表面鈍化劑最多的表面;采用化學(xué)氣相沉積法,在襯底上生長(zhǎng)二維鹵化物模板;(2)通過(guò)氣相轉(zhuǎn)化法,利用含有CH3NH3+或CH(NH2)2+的有機(jī)鹽進(jìn)行雜化,將二維鹵化物模板轉(zhuǎn)化為有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦。本發(fā)明所制備的雜化鈣鈦礦尺寸大,單晶片面積最大可達(dá)到500微米,薄膜面積為1.5厘米×1.5厘米,質(zhì)量高,均勻性好。包含本發(fā)明所制備的雜化鈣鈦礦的光電探測(cè)器性能優(yōu)異,響應(yīng)時(shí)間快,其響應(yīng)時(shí)間小于10μs。
本發(fā)明公開(kāi)了一種激光探針檢測(cè)鐵礦石酸堿度的方法,該方法利用激光探針采集目標(biāo)元素特征光譜所在段光譜信息,并以該光譜信息作為自變量,以目標(biāo)元素化合物含量作應(yīng)變量,利用主成分分析法進(jìn)行主成分提取,去掉次要主成分,消弱LIBS分析中基體效應(yīng)和隨機(jī)誤差所產(chǎn)生的影響,并利用偏最小二乘回歸法建立了穩(wěn)健的定量分析模型,實(shí)現(xiàn)鐵礦石酸堿度的檢測(cè)。本發(fā)明可以減小無(wú)關(guān)信息引入幾率,并有效降低光譜數(shù)據(jù)處理量,提高檢測(cè)效率和檢測(cè)精度。
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種地礦鉆探用絕緣短節(jié),其至少包括中空短節(jié)本體及兩個(gè)中空保護(hù)接頭,兩個(gè)保護(hù)接頭分別在短節(jié)本體的兩端與短節(jié)本體固定連接,短節(jié)本體的內(nèi)表面、外表面及端面上均涂布有耐磨陶瓷絕緣材料層,短節(jié)本體內(nèi)表面的耐磨陶瓷絕緣材料層上及短節(jié)本體不與保護(hù)接頭接觸的外表面的耐磨陶瓷絕緣材料層上涂布有硬膠與金剛石顆?;旌喜牧蠈?。本實(shí)用新型提供的地礦鉆探用絕緣短節(jié)可應(yīng)用于地礦行業(yè)井下電磁波隨鉆測(cè)量,實(shí)現(xiàn)上、下鉆桿絕緣。
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可提高適用性的礦用鋼絲繩探傷裝置,屬于檢測(cè)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,其包括第一弧形板,所述第一弧形板的上表面通過(guò)合頁(yè)鉸接有第二弧形板,所述第一弧形板的上表面和第二弧形板的下表面均通過(guò)絲桿固定連接有檢測(cè)器。該可提高適用性的礦用鋼絲繩探傷裝置,通過(guò)設(shè)置安裝槽、限位塊、伸縮桿、凸塊、彈簧和按鈕,使本裝置在對(duì)不同規(guī)格的鋼絲繩進(jìn)行檢測(cè)時(shí)無(wú)需更換不同型號(hào)檢測(cè)裝置,僅需要通過(guò)按下按鈕將限位塊取下并換上相應(yīng)規(guī)格即可,且限位塊拆裝方便快捷,從而能夠有效提升檢測(cè)效率,同時(shí)能夠避免攜帶多個(gè)檢測(cè)裝置,降低工作人員負(fù)重,且生產(chǎn)廠商僅需要生產(chǎn)不同規(guī)格限位塊即可,大幅降低生產(chǎn)難度,適合批量生產(chǎn)。
本發(fā)明公開(kāi)了一種加速電子過(guò)濾的鈣鈦礦光電探測(cè)器,它包括襯底、陽(yáng)極、有源層和復(fù)合陰極,其中陽(yáng)極和有源層之間設(shè)置空穴傳輸層、有源層和復(fù)合電極之間設(shè)置電子過(guò)濾層。本發(fā)明通過(guò)采用具有遷移率較高、激子結(jié)合能較小、激子壽命較長(zhǎng)以及激子擴(kuò)散距離較長(zhǎng)等優(yōu)良特點(diǎn)的鈣鈦礦材料作為光電探測(cè)器件的有源層,大大降低了器件內(nèi)部熱激子的損耗;同時(shí)創(chuàng)造性地提出了一種新型的電子過(guò)濾層,可有效地將電子輸運(yùn)到陰極進(jìn)行收集,同時(shí)大大降低激子復(fù)合幾率和電極對(duì)激子的淬滅效應(yīng);所得鈣鈦礦光電探測(cè)器具有較高的外量子效率與光譜響應(yīng)度,性能得到顯著提升。
本發(fā)明屬于微納制造相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,其公開(kāi)了一種自供能鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法,所述光電探測(cè)器包括玻璃基底、CsPbIBr2光敏薄膜、PMMA修飾層及Ag電極層,所述玻璃基底包括基底及設(shè)置在所述基底上的ITO導(dǎo)電層,所述CsPbIBr2光敏薄膜設(shè)置在所述ITO導(dǎo)電層上;所述PMMA修飾層設(shè)置在所述CsPbIBr2光敏薄膜遠(yuǎn)離所述ITO導(dǎo)電層的表面上,所述Ag電極層設(shè)置在所述PMMA修飾層遠(yuǎn)離所述CsPbIBr2光敏薄膜的表面上。本發(fā)明的生產(chǎn)成本和工藝復(fù)雜性相較其他鈣鈦礦光電探測(cè)器更;且PMMA修飾層的引入有利于進(jìn)一步鈍化CsPbIBr2光敏薄膜的缺陷,提高載流子傳輸速率及減少不利的非輻射復(fù)合損失,從而提高光電探測(cè)器的靈敏度和響應(yīng)速率。
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種地球化學(xué)探礦用模擬演示裝置,包括投影設(shè)備主體,所述投影設(shè)備主體的右側(cè)焊接有水箱,所述水箱前側(cè)的底部設(shè)置有循環(huán)機(jī)構(gòu),水箱的前側(cè)貫穿設(shè)置有超微孔滲水膜,超微孔滲水膜的前側(cè)焊接有擦洗架。本實(shí)用新型通過(guò)投影設(shè)備主體、液壓伸縮桿、擦洗架、豎板、支架、安裝板、電動(dòng)伸縮桿、殼體、投射結(jié)構(gòu)、活動(dòng)門、固定板、傳動(dòng)輪、傳動(dòng)帶、主動(dòng)輪、驅(qū)動(dòng)電機(jī)、水箱、水泵、送液管、濾網(wǎng)和擋水殼的配合使用,解決了現(xiàn)有的地球化學(xué)探礦用模擬演示裝置在使用過(guò)程中,通常不具有可循環(huán)用水的清洗結(jié)構(gòu),使得其不便于對(duì)其投射結(jié)構(gòu)進(jìn)行擦洗,且通常無(wú)法對(duì)其高度進(jìn)行調(diào)節(jié),容易給使用者的使用造成一定不便的問(wèn)題。
一種基于MXene納米片優(yōu)化的鈣鈦礦量子點(diǎn)光電探測(cè)器及其制備方法,涉及光電探測(cè)器領(lǐng)域。該基于MXene納米片優(yōu)化的鈣鈦礦量子點(diǎn)光電探測(cè)器的制備方法包括以下步驟:將碳化鈦納米材料和CsPbBr3量子點(diǎn)溶液混合得到混合液;將混合液旋涂到玻璃基片表面,對(duì)旋涂有混合液的玻璃基片進(jìn)行退火,重復(fù)上述步驟多次得到光敏層;對(duì)具有光敏層的玻璃基片鍍金得到電極。本申請(qǐng)?zhí)峁┑幕贛Xene納米片優(yōu)化的鈣鈦礦量子點(diǎn)光電探測(cè)器具有穩(wěn)定性強(qiáng)、光電流強(qiáng)度和光響應(yīng)度高的優(yōu)點(diǎn),能夠在環(huán)境中長(zhǎng)期保存。
本發(fā)明屬于液體檢測(cè)與光譜分析相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,其公開(kāi)了一種利用激光探針快速檢測(cè)礦漿的裝置,其包括LIBS組件及樣品組件,所述樣品組件包括連接于所述LIBS組件的3D位移平臺(tái)、垂直固定在所述3D位移平臺(tái)上的主立桿、間隔連接在所述主立桿上的膠管穩(wěn)固機(jī)構(gòu)、噴頭固定機(jī)構(gòu)及樣品容器固定機(jī)構(gòu)、連接于所述噴頭固定機(jī)構(gòu)且收容于所述樣品容器內(nèi)的噴頭、套設(shè)在所述噴頭上的內(nèi)套管、底端穿過(guò)所述樣品容器固定機(jī)構(gòu)的樣品容器、穿過(guò)所述膠管穩(wěn)固機(jī)構(gòu)后與所述噴頭相連通的膠管及設(shè)置在所述膠管上的蠕動(dòng)泵,所述蠕動(dòng)泵用于抽取礦漿以將礦漿由靜止的形態(tài)轉(zhuǎn)換成流動(dòng)的液柱形態(tài);所述膠管的另一端連接于所述容樣品容器的出口端或者礦漿運(yùn)輸管。
本發(fā)明特別涉及一種用于光電探測(cè)器的無(wú)表面缺陷的鈣鈦礦及其制備方法,屬于晶體材料加工技術(shù)領(lǐng)域,鈣鈦礦包括鈣鈦礦本體,鈣鈦礦本體至少一表面鍵合有鈍化劑,鈍化劑為PEAX,其中,X為Cl、Br和I中的至少一種;利用PEAX(鹵化苯乙胺)對(duì)于鈣鈦礦表面懸掛鍵的鈍化作用,減小表面的漏電流點(diǎn),同時(shí)抑制了鈣鈦礦的離子遷移,降低鈣鈦礦光電探測(cè)器器件工作時(shí)的暗電流,提高了器件的性能。
本發(fā)明公開(kāi)了一種利用光纖激光輔助增強(qiáng)激光探針的礦漿檢測(cè)裝置,包括:Nd:YAG激光器、光纖激光器、光路結(jié)構(gòu)、光譜儀、ICCD、計(jì)算模塊以及樣品泵浦模塊;Nd:YAG激光器用于燒蝕礦漿樣品,激發(fā)產(chǎn)生等離子體;光纖激光器用于加熱礦漿樣品,輔助增強(qiáng)脈沖激光產(chǎn)生的等離子體;光路結(jié)構(gòu)用于將兩個(gè)激光器產(chǎn)生的激光束匯聚于樣品表面同一點(diǎn),以及采集等離子體的光譜并傳輸至光譜儀中;光譜儀用于采集等離子體光譜,并進(jìn)行分光處理;ICCD用于將不同波長(zhǎng)的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào);計(jì)算模塊用于對(duì)電信號(hào)進(jìn)行處理和分析。本發(fā)明能夠快速減少激光探針在樣品表面的檢測(cè)點(diǎn)附近的水分,有效提高光譜的強(qiáng)度、穩(wěn)定性以及分辨率,并提高檢測(cè)速度。
本發(fā)明公開(kāi)了一種黃金礦藏勘探的微生物檢測(cè)方法,該方法先將蠟狀芽孢桿菌(Bacillus cereus)孢子免疫注射家兔5次,制成第一抗體;用第一抗體免疫注射雄性山羊5次,制成第二抗體;然后將第二抗體作為檢測(cè)黃金礦物樣品的主要指示物,檢測(cè)礦物樣品是否含有黃金及含金的品位??稍谝巴馔瑫r(shí)對(duì)多份礦物樣品進(jìn)行定性、定量及快速、方便地檢測(cè),對(duì)人畜無(wú)害,且不污染環(huán)境。
本發(fā)明屬于微納制造相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,其公開(kāi)了一種全無(wú)機(jī)鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法,所述光電探測(cè)器包括玻璃基底、CuPc空穴傳輸層、CsPbBr3鈣鈦礦薄膜、MoOx修飾層及Ag電極層,所述玻璃基底包括基底及形成在所述基底上的ITO導(dǎo)電層;所述CuPc空穴傳輸層形成在所述ITO導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述基底的表面上;所述CsPbBr3鈣鈦礦薄膜形成在所述CuPc空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述ITO導(dǎo)電層的表面上;所述MoOx修飾層形成在所述CsPbBr3鈣鈦礦薄膜遠(yuǎn)離所述CuPc空穴傳輸層的表面上;所述Ag電極層形成在所述MoOx修飾層遠(yuǎn)離所述CsPbBr3鈣鈦礦薄膜的表面上。本發(fā)明的生產(chǎn)成本低,適用性好,尤其適合大面積器件及器件陣列的高效制備。
本發(fā)明提出了一種鈣鈦礦和硅組成的高效光探測(cè)器的制造方法,通過(guò)先將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液滴在ITO透明導(dǎo)電薄膜中央,再將制絨單晶硅片金字塔絨面一側(cè)貼合在鈣鈦礦前驅(qū)體溶液上,可以讓鈣鈦礦材料迅速均勻地附著在制絨單晶硅的表面,制備方法簡(jiǎn)單,省去旋膜法分散鈣鈦礦溶液的步驟,鈣鈦礦薄膜在手套箱內(nèi)壓力和硅表面張力的作用下分散效果顯著,ITO與硅絨面之間形成致密且均勻的鈣鈦礦薄膜;加入絕緣透明黏合劑,增加硅片/鈣鈦礦/ITO的吸附,可以作為一個(gè)透明骨架支撐鈣鈦礦材料,加強(qiáng)入射光在鈣鈦礦材料的散射和吸收;加入包含氧化還原離子對(duì)的稀土元素的金屬氟化物,解決鈣鈦礦結(jié)晶時(shí)產(chǎn)生的缺陷增加、影響光響應(yīng)度的問(wèn)題。
本發(fā)明公開(kāi)了一種地礦鉆探用絕緣短節(jié)及其制造方法,本絕緣短節(jié)至少包括中空短節(jié)本體及分別在短節(jié)本體的兩端與短節(jié)本體固定連接的兩個(gè)中空保護(hù)接頭,短節(jié)本體的內(nèi)表面、外表面及端面上均涂布有耐磨陶瓷絕緣材料層,短節(jié)本體內(nèi)表面的耐磨陶瓷絕緣材料層上及短節(jié)本體不與保護(hù)接頭接觸的外表面的耐磨陶瓷絕緣材料層上涂布有硬膠與金剛石顆?;旌喜牧蠈?。本制造方法首先制造短節(jié)本體及兩個(gè)保護(hù)接頭,再將將兩個(gè)保護(hù)接頭分別固定連接于短節(jié)本體的兩端。本絕緣短節(jié)可應(yīng)用于地礦行業(yè)井下電磁波隨鉆測(cè)量,實(shí)現(xiàn)上、下鉆桿絕緣,本制造方法可制造出適用于地礦行業(yè)井下電磁波隨鉆測(cè)量的絕緣短節(jié)。
本發(fā)明特別涉及一種用于光電探測(cè)器的表面鈍化的鈣鈦礦及其制備方法,屬于晶體材料加工技術(shù)領(lǐng)域,鈣鈦礦包括鈣鈦礦本體,鈣鈦礦本體至少一表面鍵合有鈍化劑,鈍化劑為三苯基氧化膦;利用TPPO(三苯基氧化膦)和鈣鈦礦晶體表面中的Pb形成Pb?O鍵,鈍化表面Cl、Br、I鹵素空位帶來(lái)的缺陷,減少鈣鈦礦材料的表面懸掛鍵,以此降低離子遷移,從而有效抑制鈣鈦礦光電探測(cè)器工作時(shí)暗電流過(guò)大和暗電流漂移的問(wèn)題。
本發(fā)明公開(kāi)了一種鈣鈦礦納米線、光電探測(cè)器和太陽(yáng)能電池的制備及應(yīng)用,其中鈣鈦礦納米線的制備方法包括:(1)將碘化甲胺和鉛的鹵素鹽溶于二甲基甲酰胺溶液中,制成鉛鹵鈣鈦礦前驅(qū)體溶液;(2)將基底紫外臭氧處理至少30分鐘,得到具有親水性的基底;(3)將基底的一端邊緣粗糙化,將鉛鹵鈣鈦礦前驅(qū)體溶液滴涂或者噴涂到基底上;然后將粗糙化后的邊緣端墊高,使基底與水平面呈夾角,接著靜置,再加熱基底即得到鉛鹵鈣鈦礦納米線。本發(fā)明能在基底的選擇性區(qū)域生長(zhǎng)密度均勻、方向有序的鉛鹵鈣鈦礦納米線,并且生長(zhǎng)出的鉛鹵鈣鈦礦能較好的與現(xiàn)有器件的其他部件或制備方法相結(jié)合(如組合成為光電探測(cè)器、太陽(yáng)能電池等),提高器件的性能。
本發(fā)明提供鈣鈦礦厚膜X射線探測(cè)器及其制備方法,鈣鈦礦厚膜X射線探測(cè)器的特征在于包括:透明導(dǎo)電膜基底、空穴傳輸層、鈣鈦礦厚膜、電子傳輸層、電極,其中,鈣鈦礦厚膜通過(guò)真空熱共蒸發(fā)法制得,并且位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。制備方法的特征在于:將不同的鈣鈦礦原料分別放入不同的束源爐,并分別加到各自的沸點(diǎn),同時(shí)對(duì)基底進(jìn)行原位加熱,然后進(jìn)行真空熱共蒸得到鈣鈦礦厚膜。本發(fā)明所提供的鈣鈦礦厚膜X射線探測(cè)器具有優(yōu)異的電荷傳輸性能、極快的響應(yīng)速度、較高的X射線靈敏度和較好的穩(wěn)定性,并且制備工藝簡(jiǎn)單,厚度可調(diào),易于在柔性基底上制備,在醫(yī)學(xué)成像、航空安檢等領(lǐng)域具有廣泛潛在應(yīng)用。
本發(fā)明公開(kāi)了一種高尾礦壩超深鉆探鉆頭裝置,其特征在于:在胎體底唇面上對(duì)稱的開(kāi)了四對(duì)V型凹槽,V型槽的尺寸應(yīng)與硬質(zhì)合金底部直徑相匹配;在胎體側(cè)面的V型凹槽中軸線上設(shè)置四組圓形槽,圓形槽的尺寸與表鑲合金的直徑相匹配;在胎體側(cè)底面開(kāi)水口;在鉆頭上部攻絲。在胎體底唇面上設(shè)置硬質(zhì)合金,在胎體側(cè)面設(shè)置表鑲合金。硬質(zhì)合金鑲焊到鉆頭底唇面上的V型凹槽中,硬質(zhì)合金設(shè)置內(nèi)出刃;表鑲合金鑲焊到胎體側(cè)面的圓形槽中。該裝置不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便,而且該鉆頭實(shí)施于尾礦壩的深井鉆探中,大大減小了鉆進(jìn)中產(chǎn)生的阻力、避免了鉆進(jìn)和提鉆時(shí)卡鉆、使鉆井液快速順暢的循環(huán)、加快了鉆進(jìn)速度和防止鉆進(jìn)中胎體的磨損。
一種礦產(chǎn)探測(cè)儀,包括殼體和蓋子,所述殼體和蓋子通過(guò)轉(zhuǎn)軸連接,實(shí)現(xiàn)蓋子與殼體頂面的開(kāi)合;所述殼體為中空的矩形結(jié)構(gòu),殼體頂面設(shè)有面板,內(nèi)部設(shè)有與面板電連接的電路結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型提供的礦產(chǎn)探測(cè)儀利用發(fā)射機(jī)向地下發(fā)出與被測(cè)物質(zhì)分子共振的磁脈沖信號(hào),被測(cè)物質(zhì)分子接收到相應(yīng)的磁共振后會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的共振能量場(chǎng),能量場(chǎng)中的能量所產(chǎn)生的引力會(huì)將天線推動(dòng)指向被測(cè)物質(zhì),從而發(fā)現(xiàn)被測(cè)礦產(chǎn)。本裝置幾乎可以探測(cè)所有礦產(chǎn),包括鐵礦、錳礦、鉻礦、金礦、銀礦、稀土元素等多種金屬礦產(chǎn),以及硫鐵礦、磷塊巖、金剛石、石灰?guī)r等多種非金屬礦產(chǎn)。本實(shí)用新型的礦產(chǎn)探測(cè)儀功能強(qiáng)大、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,抗震性能高,操作過(guò)程簡(jiǎn)單,能滿足多種探測(cè)場(chǎng)合需求。
本發(fā)明公開(kāi)了一種多元鈣鈦礦材料、厚膜的制備方法及X射線探測(cè)器,其中的多元鈣鈦礦材料的化學(xué)組分為ABX3;A為多元陽(yáng)離子基團(tuán),B為二價(jià)金屬離子,X為鹵素陰離子,多元鈣鈦礦材料的制備方法包括:基于ABX3的化學(xué)配比獲取原料;在所述原料中加入反溶劑后進(jìn)行反應(yīng)球磨,獲得反應(yīng)產(chǎn)物;在進(jìn)行反應(yīng)球磨時(shí),控制球磨機(jī)轉(zhuǎn)速為400~600rpm,球磨時(shí)間為24~36小時(shí);對(duì)所述反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行干燥處理,獲得多元鈣鈦礦粉末;上述方法能夠制備純相的多元鈣鈦礦粉末,避免在制備多元鈣鈦礦厚膜的過(guò)程中產(chǎn)生分相和偏析,提高了X射線探測(cè)器的器件性能。
本發(fā)明設(shè)計(jì)一種離子遷移小的鈣鈦礦單晶X射線探測(cè)器及制作方法,所述X射線探測(cè)器中的的鈣鈦礦單晶,是通過(guò)空間限制和逆溫結(jié)晶的方法制備、且具有厘米級(jí)別的MAPbBr3鈣鈦礦單晶,包括:制備鈣鈦礦的前驅(qū)體溶液、制作限制空間、制得MAPbBr3鈣鈦礦單晶和通過(guò)濺射方式在MAPbBr3鈣鈦礦單晶上制備電極等步驟。所述制備厘米級(jí)別的MAPbBr3鈣鈦礦單晶工藝品易于MEMS兼容以及集成,通過(guò)調(diào)控前驅(qū)體溶液的摩爾比的方法,減少了缺陷密度,增加了熒光壽命并且抑制了離子遷移,工藝簡(jiǎn)單,易于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
本發(fā)明屬于X射線探測(cè)器相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,其公開(kāi)了一種全鈣鈦礦X射線間接探測(cè)器及其制備方法,該方法包括以下步驟:(1)在基體的一個(gè)表面上制備多個(gè)間隔設(shè)置的微通道,以得到微通道陣列結(jié)構(gòu),再將鈣鈦礦納米晶量子點(diǎn)液體填充到微通道中,以得到鈣鈦礦微通道陣列;(2)在所述基體遠(yuǎn)離所述微通道陣列的表面上制備鈣鈦礦可見(jiàn)光敏層,并在所述鈣鈦礦微通道陣列上原位制備鈣鈦礦閃爍體,從而得到全鈣鈦礦X射線間接探測(cè)器。本發(fā)明頂層鈣鈦礦閃爍體吸收X射線完成熒光轉(zhuǎn)換,同時(shí)引入微通道陣列結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以加強(qiáng)熒光軸向傳輸、抑制熒光橫向串?dāng)_傳輸;底層鈣鈦礦可見(jiàn)光敏層薄膜吸收熒光完成光電轉(zhuǎn)化。
一種針對(duì)錳礦的高精度勘探線剖面圖地形線編繪方法,該方法首先根據(jù)礦產(chǎn)勘查測(cè)量數(shù)據(jù)獲取勘探線數(shù)據(jù),再根據(jù)鉆孔編錄獲取鉆孔數(shù)據(jù);其次將非空間坐標(biāo)的測(cè)點(diǎn)的平距、高程作為x坐標(biāo)、y坐標(biāo);將是空間坐標(biāo)的測(cè)點(diǎn)到對(duì)應(yīng)勘探線做垂線,以垂足距勘探線的起點(diǎn)的距離和測(cè)點(diǎn)的高度作為x坐標(biāo)、y坐標(biāo);然后將在勘探線上的鉆孔對(duì)鉆孔到對(duì)應(yīng)勘探線做垂線,以垂足距勘探線的起點(diǎn)的距離和測(cè)點(diǎn)的高度作為x坐標(biāo)、y坐標(biāo),最后將圖面框架上所有的測(cè)點(diǎn)按照x坐標(biāo)大小順序依次相連,進(jìn)行光滑化處理;該方法將空間坐標(biāo)即三維坐標(biāo)轉(zhuǎn)換成平面坐標(biāo)即二維坐標(biāo),該方法適用于多種數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),同時(shí)對(duì)在勘探線上的鉆孔進(jìn)行處理,使剖面圖的精度變高和符合實(shí)際地形。
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種用交流電抑制鈣鈦礦光電探測(cè)器電流漂移的方法及器件,其中的方法具體是通過(guò)將向鈣鈦礦光電探測(cè)器中鈣鈦礦功能層兩端施加的偏壓控制為交流電,利用該交流電減弱鈣鈦礦功能層中鈣鈦礦材料內(nèi)的離子遷移現(xiàn)象,從而抑制鈣鈦礦光電探測(cè)器工作時(shí)的電流漂移。相應(yīng)的器件包括用于最終向鈣鈦礦功能層兩端施加交流電的交流電源,該交流電作為鈣鈦礦功能層偏壓,減弱鈣鈦礦功能層中鈣鈦礦材料內(nèi)的離子遷移現(xiàn)象,能夠抑制該器件工作時(shí)的電流漂移。本發(fā)明通過(guò)控制鈣鈦礦光電探測(cè)器工作時(shí)所加的偏壓為交流電,利用交流電將減弱離子遷移現(xiàn)象,從而有效的抑制鈣鈦礦光電探測(cè)器工作時(shí)的電流漂移問(wèn)題。
本發(fā)明提供了一種具有網(wǎng)狀鈣鈦礦納米線的光電探測(cè)器,包括基底、保護(hù)層、吸收層、電極,所述基底上表面兩側(cè)分別設(shè)置有電極,所述基底上表面位于兩電極之間設(shè)置有保護(hù)層、吸收層;所述保護(hù)層為熱塑性丙烯酸樹(shù)脂膜,所述吸收層為鈣鈦礦納米線相互交錯(cuò)形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)薄膜,所述鈣鈦礦納米線表面被丙烯酸樹(shù)脂包裹。進(jìn)一步的本發(fā)明提供了上述光電探測(cè)器的制備方法。所述光電探測(cè)器光電探測(cè)性能優(yōu)秀、空氣中性能穩(wěn)定,工藝過(guò)程簡(jiǎn)單、產(chǎn)品性能好、成本低。
中冶有色為您提供最新的湖北有色金屬探礦技術(shù)理論與應(yīng)用信息,涵蓋發(fā)明專利、權(quán)利要求、說(shuō)明書、技術(shù)領(lǐng)域、背景技術(shù)、實(shí)用新型內(nèi)容及具體實(shí)施方式等有色技術(shù)內(nèi)容。打造最具專業(yè)性的有色金屬技術(shù)理論與應(yīng)用平臺(tái)!