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OTF-1200X-50-DSL是一款專為定向生長(zhǎng)單壁碳納米管（SWCNTs）設(shè)計(jì)的水平滑軌式CVD生長(zhǎng)爐，同時(shí)也適用于在硅片上生長(zhǎng)低熔點(diǎn)金屬單晶。其爐管直徑為Φ50mm，爐體滑動(dòng)速度可在1mm/s至100mm/s范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，并支持左右反復(fù)滑動(dòng)及自定義滑動(dòng)距離，為實(shí)驗(yàn)提供了高度的靈活性。該系統(tǒng)配備可設(shè)置30段程序的高溫爐、一根Φ50×1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭，能夠滿足多種材料生長(zhǎng)的需求。在冶金領(lǐng)域，該設(shè)備可用于研究低熔點(diǎn)金屬的單晶生長(zhǎng)機(jī)制，為開(kāi)發(fā)高性能金屬材料提供重要的實(shí)驗(yàn)支持。

OTF-1200X-50S-PE-SL是一款小型滑動(dòng)開(kāi)啟式PECVD管式爐系統(tǒng)，專為高效薄膜沉積實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)配備等離子射頻電源、直徑50mm的開(kāi)啟式管式爐（含真空法蘭和連接管道）以及機(jī)械泵，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。其安裝尺寸為1500mm×600mm×1200mm，重量約160kg，結(jié)構(gòu)緊湊且操作便捷。此外，該設(shè)備可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求靈活升級(jí)為不同類型的PECVD系統(tǒng)，性價(jià)比高，非常適合高校、科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)實(shí)驗(yàn)室在薄膜制備、材料表面改性等領(lǐng)域的研究應(yīng)用。

OTF-1200X-5L-R-CVD是一款1200℃旋轉(zhuǎn)CVD管式爐，專為電池粉體材料表面包覆及其他粉體材料表面修飾設(shè)計(jì)。爐體配備3個(gè)加熱區(qū)，確保溫度均勻性，同時(shí)搭載4通道精密混氣系統(tǒng)，可精準(zhǔn)控制反應(yīng)氣體。其安裝尺寸為1950mm×600mm×1320mm，重量約130kg，結(jié)構(gòu)緊湊且功能強(qiáng)大，能夠滿足高校、科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)實(shí)驗(yàn)室在材料表面處理和修飾方面的多樣化需求。

KT-PE12 帶液體氣化器的滑動(dòng) PECVD 系統(tǒng)由一個(gè) 500W 射頻等離子源、一個(gè) TF-1200 滑動(dòng)爐、4 個(gè) MFC 氣體精確控制單元和一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)真空站組成。爐腔軌道滑動(dòng)系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)快速加熱和快速冷卻，可選配輔助強(qiáng)制空氣循環(huán)風(fēng)扇，加快冷卻速度；可選配滑動(dòng)自動(dòng)工作裝置；最高工作溫度可達(dá) 1200℃。工作溫度最高可達(dá) 1200℃，爐管為一根直徑 60 毫米的石英管；4 通道 MFC 質(zhì)量流量計(jì)，氣源為 CH4、H2、O2 和 N2；真空站為一臺(tái) 4L/S 旋片真空泵，最大真空壓力可達(dá) 10P。真空壓力可達(dá) 10Pa。

KT-CTF14 多區(qū) CVD 爐有 2 個(gè)加熱區(qū)，最高工作溫度可達(dá) 1200℃，爐管為直徑 60mm 的石英管；4 通道 MFC 質(zhì)量流量計(jì)，氣源為 CH4、H2、O2 和 N2；真空站為 4L/S 旋片真空泵，最大真空壓力可達(dá) 10Pa。真空壓力可達(dá) 10Pa。

帶真空站的分體式 CVD 管式爐是一款多功能、高性能的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備，專為化學(xué)氣相沉積 (CVD) 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它采用分體式爐腔，便于接觸反應(yīng)樣品和快速冷卻。爐管由高溫石英制成，直徑為 60 毫米。該系統(tǒng)包括一個(gè) 4 通道 MFC 質(zhì)量流量計(jì)，配有 CH4、H2、O2 和 N2 源氣體，可對(duì)氣體流速進(jìn)行精確控制。真空站采用 4L/S 旋片真空泵，最大真空壓力為 10 Pa。帶真空站的分室 CVD 管式爐具有先進(jìn)的功能和性能，是材料科學(xué)、半導(dǎo)體加工和其他領(lǐng)域各種研發(fā)應(yīng)用的理想選擇。

高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機(jī)組組成，可進(jìn)行半導(dǎo)體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品（尺寸可達(dá)3″ ）的退火，并采用 10KW的紅外燈進(jìn)行加熱，最快升溫速度可達(dá) 120℃/s，配有RS485 接口，可以通過(guò)控制軟件在計(jì)算機(jī)上控制運(yùn)行并顯示溫度曲線。

帶滑動(dòng)法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過(guò)調(diào)整三個(gè)溫區(qū)而建立不同梯度的熱場(chǎng)，可進(jìn)行退火、擴(kuò)散、在不同氣氛中燒結(jié)樣品及CVD等實(shí)驗(yàn)。

快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV是專為半導(dǎo)體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品（尺寸可達(dá)3″ ）的退火而設(shè)計(jì)，配有3路流量計(jì)和機(jī)械泵。本機(jī)采用 9KW的紅外燈進(jìn)行加熱，最快升溫速度可達(dá) 100℃/s，配有RS485 接口，可以通過(guò)控制軟件在計(jì)算機(jī)上控制運(yùn)行并顯示溫度曲線。

上海鉅晶生產(chǎn)的高真空CVD系統(tǒng)（型號(hào)：CVD-1700）是一款高性能的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，專為科研和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)由高溫管式爐、高真空擴(kuò)散泵/分子泵系統(tǒng)、多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)和自動(dòng)壓強(qiáng)控制系統(tǒng)等組成，能夠?qū)崿F(xiàn)高真空度0.001—0.0001Pa的混合氣體環(huán)境，適用于多種材料的生長(zhǎng)和制備，如半導(dǎo)體材料、納米材料、薄膜材料等。

上海鉅晶提供的1200℃全自動(dòng)七溫區(qū)CVD系統(tǒng)（型號(hào)：CVD-1200-Ⅷ）是一款先進(jìn)的高溫電爐設(shè)備，專為化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)具備加長(zhǎng)溫區(qū)和多溫區(qū)的特點(diǎn)，能夠滿足全自動(dòng)CVD系統(tǒng)的需求，適用于高溫電爐、管式爐等應(yīng)用。設(shè)備采用先進(jìn)的溫控系統(tǒng)，確保溫度控制精確，加熱元件為0Cr27Al7Mo2，工作電源為AC220V 50HZ/60HZ，額定功率4KW，最高溫度可達(dá)1200℃，恒溫精度±1℃，加熱區(qū)長(zhǎng)度440mm或220mm/220mm，升溫速度≤20℃/min，密封方式為不銹鋼快速法蘭擠壓密封。

上海鉅晶提供的1200℃大管徑CVD系統(tǒng)（型號(hào)：CVD-1200）是一款專業(yè)的高溫電爐，適用于進(jìn)行大管徑管式爐的熱處理作業(yè)。這款設(shè)備特別適用于高溫氣氛爐中的真空氣氛爐操作，可用于氣氛保護(hù)燒結(jié)、氣氛還原和退火等多種工藝過(guò)程。CVD系統(tǒng)由供氣系統(tǒng)+管式爐+抽氣系統(tǒng)組成，最高溫度可以達(dá)到1200度、1400度、1600度、1700度，加熱區(qū)間可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10^-3^Pa。

CVD-1200系統(tǒng)由開(kāi)啟式單(雙)溫區(qū)管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、壓強(qiáng)控制儀及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成?？蓪?shí)現(xiàn)真空達(dá)0.001Pa混合氣體化學(xué)氣相沉積和擴(kuò)散試驗(yàn)。

CVD-1700系統(tǒng)由SGL-1700真空管式爐，HQF-Ⅲ浮子混氣系統(tǒng)，內(nèi)置測(cè)溫系統(tǒng)及真空系統(tǒng)等組成。此系統(tǒng)燒結(jié)溫度可達(dá)1700℃:真空泵采用雙極旋片真空泵，真空度可達(dá)到5x10-1Pa;可實(shí)現(xiàn)不同的1~3路氣體混合;內(nèi)置測(cè)溫系統(tǒng)可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)反應(yīng)管內(nèi)的溫度變化。