本發(fā)明公開(kāi)了一種單片硅基微壓傳感器及其制作方法,通過(guò)在硅基片之中的腐蝕坑之中,制作背島結(jié)構(gòu),而在背島結(jié)構(gòu)之中,包括有用于穩(wěn)定測(cè)量的背島,相對(duì)于常見(jiàn)的厚度為400微米左右的微壓傳感器,本發(fā)明的背島的體積很小,而且背島底面與硅基片的邊框平面距離遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于5-10微米,所以,本發(fā)明的單片硅基微壓傳感器之中的背島不會(huì)受到硅基片的厚度限制,從而能夠提高產(chǎn)出率、降低成本;與傳統(tǒng)的E型結(jié)構(gòu)相比,更能夠克服大背島的自重效應(yīng),從而提高穩(wěn)定性;此外,還能夠避免出現(xiàn)背島與玻璃鍵合而導(dǎo)致器件失效的問(wèn)題;另外,還能夠形成厚度一致性好、靈敏度一致性好的彈性硅膜,從而適宜于大規(guī)模生產(chǎn)。
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“單片硅基微壓傳感器及其制作方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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