在OTP存儲(chǔ)器中,反熔絲存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容的存在將對OTP存儲(chǔ)器編程后的讀取閾值造成很大影響,嚴(yán)重時(shí)有可能無法正確讀取編程數(shù)據(jù),導(dǎo)致讀機(jī)制的失效。本發(fā)明在介紹OTP存儲(chǔ)器的整體讀取電路以及靈敏放大器功能的基礎(chǔ)上,通過理論分析以及仿真闡述了反熔絲存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容對OTP存儲(chǔ)器讀取閾值的影響,并提出了解決方案,從而消除了存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容對OTP存儲(chǔ)器電路讀取閾值的影響,最大程度保證了存儲(chǔ)器的讀取閾值,這可以最大程度的保證OTP存儲(chǔ)器的讀取閾值,提高OTP存儲(chǔ)器用戶的編程效率,提高
芯片成品率。
聲明:
“讀取閾值受寄生電容影響的OTP存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)