本發(fā)明涉及用于監(jiān)測集成電路上金屬退化的電路。一種集成電路(IC),具有諸如功率MOSFET的熱發(fā)生元件、耦合到熱發(fā)生元件的載流導(dǎo)體、鄰近載流導(dǎo)體的感測導(dǎo)體以及耦合到感測導(dǎo)體的失效檢測電路。當(dāng)IC的熱循環(huán)導(dǎo)致感測導(dǎo)體的電阻變得大于依賴于溫度的閾值時(shí),失效檢測電路生成信號,該信號指示集成電路將不久失效。由通過將電流注入到感測導(dǎo)體中以生成電壓來確定感測導(dǎo)體的電阻。依賴于溫度的閾值是通過將電流注入到被布置得遠(yuǎn)離載流和感測導(dǎo)體的參考導(dǎo)體中所生成的電壓。電壓比較器比校兩個(gè)電壓以生成輸出。替代地,失效檢測電路包括處理器,該處理器從在集成電路上采取的溫度測量計(jì)算依賴于溫度的閾值。
聲明:
“用于監(jiān)測集成電路上金屬退化的電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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