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用于功率金屬氧化物晶體管芯片的缺陷失效定位方法

967   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:35
本發(fā)明公開了一種用于功率金屬氧化物晶體管芯片的缺陷失效定位方法,包括:1)用酸去除功率金屬氧化物晶體管芯片表面的鋁層;2)對(duì)于鋁層下含有Ti/TiN擴(kuò)散阻擋層的芯片,直接扎針柵極、源極、漏極灌電流作EMMI或OBIRCH分析,定位出缺陷;對(duì)于鋁層下無擴(kuò)散阻擋層的芯片,在芯片內(nèi)的無晶體管區(qū)域用FIB淀積兩個(gè)金屬墊,再在每個(gè)金屬墊的邊上用FIB淀積一個(gè)與該金屬墊相連接的金屬條,兩個(gè)金屬條的另一端分別連接到柵極和源極,利用兩個(gè)金屬墊和芯片背面漏極完成EMMI或OBIRCH測(cè)試,定位出缺陷。本發(fā)明的效果遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于液晶分析,而且可以快速、精確地找到缺陷位置。
聲明:
“用于功率金屬氧化物晶體管芯片的缺陷失效定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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