本發(fā)明公開了一種SONOS器件中ONO結(jié)構(gòu)的制造方法,首先采用低壓氧化工藝在硅襯底上形成預(yù)設(shè)厚度的隧穿氧化層;接著對隧穿氧化層進(jìn)行摻氮,且摻氮濃度隨著隧穿氧化層的深度逐漸遞減;然后在隧穿氧化層的上方形成用于存儲電荷的氮化硅層;最后采用化學(xué)氣相沉積工藝形成阻擋氧化層。本發(fā)明在隧穿氧化層中,由于摻氮濃度隨著氧化層深度逐漸遞減,因此使得整體隧穿氧化層能級也呈平緩遞減,當(dāng)器件處在寫入狀態(tài)時(shí),由于能帶在外電場下發(fā)生偏轉(zhuǎn),從而電子發(fā)生隧穿時(shí)通過的勢壘區(qū)仍與普通SONOS器件相同,從而保證了擦寫速度的要求。同時(shí),在可靠性測試時(shí),需要高溫進(jìn)行烘烤,由于梯度隧穿層的作用,電子逃逸更難以實(shí)現(xiàn),從而保證了SONOS器件的數(shù)據(jù)保存能力。
聲明:
“SONOS器件中ONO結(jié)構(gòu)的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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