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提升GaN基發(fā)光二極管內(nèi)置歐姆接觸性能的方法

889   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:59
一種提升GaN基發(fā)光二極管內(nèi)置歐姆接觸性能的方法,包括如下步驟:a)將在硅襯底上生長(zhǎng)完畢的GaN外延片表面進(jìn)行化學(xué)清洗;b)將蒸鍍反射鏡后的GaN外延片的正面圖形化并進(jìn)行刻蝕;c)沉積一層二氧化硅;d)去除二氧化硅層;e)對(duì)N型GaN外延層外露的表面進(jìn)行等離子體處理;f)形成N型歐姆接觸;g)將GaN外延片進(jìn)行襯底剝離、鍵合、電極焊盤(pán)制作,并測(cè)試芯片的正向電壓??捎行Х乐购罄m(xù)高溫鍵合對(duì)N型歐姆接觸產(chǎn)生不利影響而導(dǎo)致電壓升高的現(xiàn)象,有效改善鍵合后歐姆接觸性能降低、芯片電壓升高的現(xiàn)象,提高產(chǎn)品良率和器件的光電性能,提升器件光電參數(shù)和使用壽命。
聲明:
“提升GaN基發(fā)光二極管內(nèi)置歐姆接觸性能的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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