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Cu/CuO@ SiNWs光電復合材料及其制備方法

773 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:23:05

本發(fā)明公開了一種構織后硅片表面沉積銅及銅氧化物的Cu/CuO@SiNWs光電復合材料的制備方法，具體包括以下步驟：將N型平面單晶硅片超聲清洗，將其置于濃強酸與氧化劑的混合溶液中浸漬后去離子水沖洗，再用HF溶液浸漬；將處理后硅片浸入AgNO3和HF的混合溶液中，去離子水沖洗后浸入HF和H2O2的混合溶液中清洗、干燥后完成硅片刻蝕；將SiNWs浸入HF溶液中除去表面氧化膜，用PdCl2溶液活化后進行化學鍍銅，去離子水清洗、干燥；再將獲得的硅?銅復合材料置于馬弗爐內(nèi)于保護性混合氣氛（含還原性氣體）中程序升溫焙燒即得復合光電材料，電化學性能測試表明所獲材料具有較高的PEC分解水性能和穩(wěn)定性。

聲明：

“Cu/CuO@ SiNWs光電復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)