本發(fā)明涉及一種用Sn摻雜ZnO
半導(dǎo)體材料及制備方法,以及此種材料的應(yīng)用,屬于半導(dǎo)體薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的制備方法是,將Sn粉與Zn粉混合在氧氣與氬氣的氣氛中加熱以CVD(化學(xué)氣相沉積)沉積到器件表面形成Sn摻雜ZnO半導(dǎo)體材料。所述材料的組織結(jié)構(gòu)是尺寸為40~100nm納米針和200~500nm納米棒的混合網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)Sn摻雜ZnO納米薄膜的可控生長(zhǎng);能夠?qū)崿F(xiàn)室溫下對(duì)丙酮、酒精等氣體的檢測(cè),也就是說(shuō)采用該方法可以制備出室溫氣敏性元器件,能夠?qū)崿F(xiàn)室溫條件下氣敏元件的選擇性:對(duì)酒精比丙酮?dú)饷粜院?。提供的制備方法生長(zhǎng)溫度低,設(shè)備簡(jiǎn)單,成本低,沒(méi)有環(huán)境污染。
聲明:
“Sn摻雜ZnO半導(dǎo)體材料及制備方法、及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)