本發(fā)明提供了一種基于納米間隙陣列的熒光增強(qiáng)基底及其制備方法及其應(yīng)用,所述熒光增強(qiáng)基底包括基底,所述基底上設(shè)有凸起的金屬納米顆粒陣列,所述金屬納米顆粒陣列由若干個單元陣列構(gòu)成,每個單元包括一個或多個金屬納米顆粒;所述單元以密堆積六方晶格結(jié)構(gòu)陣列,所述金屬納米顆粒為半橢球形截面,所述金屬納米顆粒之間的最小間隙不大于20 nm;所述金屬納米顆粒的表面設(shè)有分隔層,所述分隔層為通過沉積包被氧化物或采用化學(xué)法進(jìn)行表面修飾得到。采用本發(fā)明技術(shù)方案,具有高效、多維度可控、多場景適用的特點(diǎn),提供了可調(diào)的結(jié)構(gòu)間隙和熱點(diǎn)分布,有利于定量的判定熒光分子濃度,提高了檢測的靈敏度,測量效率、精度得到保證。
聲明:
“基于納米間隙陣列的熒光增強(qiáng)基底及其制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)