本發(fā)明公開了
芯片封裝開帽工藝,包括以下步驟:步驟一:配置試劑;步驟二:化學反應;步驟三:超聲波清洗;步驟四:觀察檢測。該芯片封裝開帽工藝中,將濃硫酸和發(fā)煙硝酸按照容積比2:3的比例進行混合均勻,其中,濃硫酸的濃度為98%,發(fā)煙硝酸的濃度為95%,能夠在保證去除芯片塑封外殼的同時不影響到芯片內部其他部件;首先將開帽后的芯片放入到水中,超聲清洗10秒,再放入到丙酮中,超聲清洗10秒,將化學反應后的殘留物徹底清除,提高了開帽的效果,本發(fā)明設計合理,適合推廣使用。
聲明:
“芯片封裝開帽工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)