本發(fā)明涉及CUTE單晶納米帶,特別涉及一種用
電化學(xué)沉積制備CUTE單晶納米帶的方法。以TE的化合物和CU鹽為主要原料,以氨水為介質(zhì),以PT片、飽和甘汞電極分別作對(duì)電極和參比電極,以導(dǎo)電玻璃或金屬片(如CU片)為工作電極,通過電化學(xué)分析儀給工作電極加上一定的電位,恒定溫度下反應(yīng)一段時(shí)間后,在工作電極上得到大量的CUTE單晶納米帶。CUTE單晶納米帶的厚度為10~100NM;寬度為100~800NM;長(zhǎng)度幾微米。所述的CUTE單晶納米帶為正交結(jié)構(gòu),沿[010]方向擇優(yōu)生長(zhǎng)。
聲明:
“CUTE單晶納米帶及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)