本發(fā)明實施例公開了一種晶體硅清洗方法,該方法包括:將晶體硅置于純水中進行超聲或兆聲加熱預(yù)清洗;將晶體硅置于混合酸溶液中進行腐蝕;采用純水對所述晶體硅進行沖洗;將所述晶體硅烘干。本發(fā)明所提供的晶體硅清洗方法,采用物理清洗和化學(xué)清洗相結(jié)合的方式對晶體硅進行清洗,能有效地去除晶體硅(尤其是回收料)表面的雜質(zhì)和顆粒,而且可減少化學(xué)藥液的用量,減小化學(xué)藥液對人、設(shè)備及環(huán)境的危害,減輕化學(xué)藥液對晶體硅的腐蝕損耗,減輕后續(xù)對廢液的處理工作,從而可降低清洗成本。
聲明:
“晶體硅清洗方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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