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本發(fā)明涉及廢水處理領(lǐng)域，具體涉及一種用于處理對(duì)含砷和丁基黃藥復(fù)合污染廢水的活性污泥及其制備方法，制備方法包括：步驟1，取鉛鋅尾礦附近的土壤作為原始樣本，得到初始污泥；步驟2，配制用于培養(yǎng)污泥的培養(yǎng)液；步驟3，向厭氧瓶中添加培養(yǎng)液，再將初始污泥放入瓶中；步驟4，向瓶中再加入砷酸鈉和丁基黃藥，攪拌均勻后排出氧氣，振蕩培養(yǎng)，得到馴化培養(yǎng)的厭氧活性污泥。本發(fā)明通過(guò)特定地點(diǎn)的采集和馴化步驟，使培育出的活性污泥具有獨(dú)特的生物特性，不僅能在不另外添加有機(jī)碳源的條件下進(jìn)行砷的還原

本發(fā)明公開(kāi)了一種協(xié)同處理銅鎳廢渣和含砷廢料的方法，屬于冶金行業(yè)固危廢資源化處理技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的處理方法包括：將銅鎳廢渣、含砷廢料、還原劑、硫化劑和溶劑混合后還原硫化熔煉，經(jīng)冷卻后分層得到低密度的冶煉渣、中密度的冰銅和高密度的含鎳合金。該方法工藝流程短，可直接用于分離銅鎳，實(shí)現(xiàn)了銅鎳廢渣和含砷廢料的減量化、無(wú)害化和資源化。

本發(fā)明涉及選礦技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種含砷硫化銅礦石的浮選方法，包括：首先，對(duì)原礦進(jìn)行粗磨，采用“一次粗選、兩次掃選和兩次精選”的流程在低堿度下進(jìn)行抑硫?銅砷混選，得到銅砷混合精礦和尾礦；然后，對(duì)銅砷混合精礦進(jìn)行濃縮再磨?脫藥，通過(guò)調(diào)漿、組合抑制劑的耦合調(diào)控和捕收劑的捕收，采用“一次粗選、兩次掃選和兩次精選”的流程強(qiáng)化銅砷分離，從而實(shí)現(xiàn)含砷硫化銅礦石的高效分選。

本發(fā)明提供了一種光氧化處理硫化砷渣的方法，包括以下步驟：在硫化砷渣中加水調(diào)節(jié)初始硫化砷質(zhì)量濃度2％?20%，調(diào)初始pH為3?6，加入二硫化碳萃取劑2~10%，控制光源從側(cè)面光照，邊攪拌邊爆氣，進(jìn)行光照氧化浸出；浸出完之后分離有機(jī)相和水相，有機(jī)相通過(guò)冷卻析出單質(zhì)硫，濾液通過(guò)加入鐵鹽和鈣鹽穩(wěn)定化處理，穩(wěn)定化后的壓濾液返回光氧化浸出系統(tǒng)，濾渣達(dá)到柔性填埋場(chǎng)的填埋標(biāo)準(zhǔn)。該方法簡(jiǎn)單、不需要加藥劑氧化、不需要額外加催化劑來(lái)催化氧化，直接利用自然界無(wú)處不在的可見(jiàn)光氧化即可實(shí)現(xiàn)高砷渣的安全填埋處置

作為重要的半導(dǎo)體材料，砷化鎵屬于Ⅲ~Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，由其制成的半絕緣高阻材料的電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上，可用來(lái)制作集成電路襯底。寬禁帶(1.4eV)、高電子遷移率[8500cm2/(V·s)]、能帶結(jié)構(gòu)為直接帶隙的特點(diǎn)決定了其在微電子器件研制中的主要地位。但在砷化鎵芯片的生產(chǎn)過(guò)程中，研磨、清洗等工序會(huì)產(chǎn)生含砷廢水，而砷是劇毒物質(zhì)，會(huì)對(duì)人體和環(huán)境造成傷害，因此需對(duì)含砷廢水進(jìn)行處理，達(dá)標(biāo)后排放或回用。