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單晶硅作為一種半導(dǎo)體材料，主要用于光伏和半導(dǎo)體領(lǐng)域。目前應(yīng)用于單晶硅實(shí)際生產(chǎn)的技術(shù)有兩種：直拉法和區(qū)熔法。在單晶硅生產(chǎn)中常加入一定量的摻雜劑以滿足對(duì)其電性能的要求，常見的摻雜劑有：硼、磷、砷和銻。由于晶體凝固過(guò)程中存在雜質(zhì)分凝現(xiàn)象，晶棒越靠后，其摻雜劑濃度越高，電阻率就越低，造成單晶軸向電阻率的不均勻性，尤其是分凝系數(shù)小的摻雜劑(如磷、砷)，其單晶軸向電阻率均勻性要更差。由于加入摻雜劑的單晶硅具有轉(zhuǎn)化效率高、使用壽命長(zhǎng)及抗惡劣環(huán)境性能好等優(yōu)點(diǎn)受到了廣泛的關(guān)注。