硅片厚度測(cè)量

簡(jiǎn)要描述：硅片厚度測(cè)量?jī)x采用的是近紅外光(NIR)來(lái)測(cè)量膜層厚度，因此可以測(cè)試一些肉眼看是不透明的膜層(比如半導(dǎo)體膜層)。

硅片厚度的測(cè)量方法也有多種，常見(jiàn)的包括：

1、光學(xué)顯微鏡法：通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀察硅片的表面，利用尺度刻度或者測(cè)距尺來(lái)測(cè)量硅片的厚度。

2、原子力顯微鏡法：利用原子力顯微鏡對(duì)硅片表面進(jìn)行掃描，可以直接測(cè)量硅片的厚度。

3、橢偏測(cè)量法：利用硅片對(duì)偏振光的旋光效應(yīng)，通過(guò)測(cè)量光的偏振態(tài)變化來(lái)確定硅片厚度。

4、X射線熒光光譜法：通過(guò)X射線熒光光譜儀測(cè)量硅片的元素成分，從而間接推斷硅片的厚度。

5、激光測(cè)量法：利用激光測(cè)量?jī)x器對(duì)硅片表面進(jìn)行掃描，通過(guò)測(cè)量激光的反射或散射來(lái)確定硅片的厚度。

6、超聲波測(cè)量法：通過(guò)超聲波測(cè)量?jī)x器對(duì)硅片進(jìn)行超聲波傳播速度的測(cè)量，從而計(jì)算硅片的厚度。

不同的方法適用于不同的硅片厚度范圍和精度要求，具體選擇取決于實(shí)際需求和實(shí)驗(yàn)條件。

滿足薄膜厚度范圍從15nm到3mm的先進(jìn)厚度測(cè)試系統(tǒng)

F3-sX家族利用光譜反射原理，可以測(cè)試眾多半導(dǎo)體及電解層的厚度，可測(cè)最大厚度達(dá)3毫米。此類厚膜，相較于較薄膜層表面較粗糙且不均勻，F(xiàn)3-sX系列配置10微米的測(cè)試光斑直徑因而可以快速容易的測(cè)量其他膜厚測(cè)試儀器不能測(cè)量的材料膜層。而且能在幾分之一秒內(nèi)完成。

波長(zhǎng)選配

F3-sX采用的是近紅外光(NIR)來(lái)測(cè)量膜層厚度，因此可以測(cè)試一些肉眼看是不透明的膜層(比如半導(dǎo)體膜層)。980nm波長(zhǎng)型號(hào)，F(xiàn)3-s980，專門針對(duì)低成本預(yù)算應(yīng)用。F3-s1310針對(duì)于高參雜硅應(yīng)用。F3-s1550則針對(duì)較厚膜層設(shè)計(jì)。