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1600℃ TSSG法晶體生長爐

1600℃ TSSG法晶體生長爐

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規(guī)格/型號:CY-01600BG-Φ200-200×200-V-T
品牌:成越
應(yīng)用領(lǐng)域:冶金
產(chǎn)地:河南 - 鄭州
廠家/供應(yīng)商:鄭州成越科學儀器有限公司
咨詢電話::0371-55199322(請說明信息源自“中冶有色技術(shù)網(wǎng)”)
更新時間:2025-02-10
級別:待認證

1600℃ TSSG法晶體生長爐說明介紹

1600℃ TSSG法晶體生長爐

1600℃ TSSG法晶體生長爐


產(chǎn)品型號:CY-01600BG-Φ200-200×200-V-T

CY-01600BG-Φ200-200×200-V-T型1600℃ TSSG法晶體生長爐是一款專為晶體生長設(shè)計的高溫實驗設(shè)備,采用頂部籽晶法和助溶劑法生長各種材料單晶。該設(shè)備爐體采用氧化鋁纖維作為爐膛材料,以硅鉬棒為加熱元件,腔體尺寸為φ330mm×250mm(H),最高溫度可達1700℃。其配備30段可編程精密溫度控制器,控溫精度可達±1℃,升溫速率0-10℃/min,可滿足復雜晶體生長的溫度需求。

此外,該設(shè)備還配備精密旋轉(zhuǎn)提拉機構(gòu),提拉速度范圍0.03-12mm/h,旋轉(zhuǎn)速度0.03-50r/min,可根據(jù)客戶需求定制。在冶金領(lǐng)域,該設(shè)備可用于制備高純度金屬晶體、合金單晶等,其高精度的溫度控制和靈活的提拉機構(gòu)有助于優(yōu)化晶體生長過程,提高材料性能。

簡單介紹:

CY-01600BG-Φ200-200×200-V-T是一款頂部籽晶法晶體生長爐,可利用助溶劑法生長各種材料單晶。箱式爐采用氧化鋁纖維作為爐膛材料,以MoSi2為加熱元件,其腔體尺寸為φ330mm×250mm(H),*高溫度可達1700℃。30段可編程精密溫度控制器,可根據(jù)不同的客戶需求來設(shè)定升降溫程序,控溫精度可達±1℃,配備精密旋轉(zhuǎn)提拉機構(gòu)可用于頂部籽晶助溶劑法生長各種晶體材料,提拉速度和旋轉(zhuǎn)速度均可根據(jù)客戶需求進行定制。

技術(shù)參數(shù):

1600℃ TSSG法晶體生長爐
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0371-55199322
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