本發(fā)明公開了一種用于感測從生物刺激、化學(xué)刺激、離子刺激、電刺激、機械刺激及磁性刺激中選擇的至少一個的CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)像素。該CMOS像素包括:襯底,其包括背側(cè);源,其與該襯底耦接以產(chǎn)生背景電流;及檢測元件,其經(jīng)電耦接以測量該背景電流。該刺激(其將被提供至該背側(cè))影響該背景電流的可測量改變。
聲明:
“具有背景電流操縱的背側(cè)受激傳感器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)