本發(fā)明公開了一種3D疊層芯片封裝器件的芯片分離方法，包括如下步驟：聲學(xué)掃描顯微檢測3D疊層芯片封裝ULSI試樣的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，確定所需研磨區(qū)域及其面積；用熱熔蠟將3D疊層芯片封裝ULSI試樣固定在研磨臺上；研磨：根據(jù)上述研磨區(qū)域的面積，選擇研磨鉆頭、研磨力度和研磨方向，去除封裝材料和芯片，研磨至目標(biāo)芯片表面覆蓋的保護(hù)層；采用化學(xué)腐蝕法，去除上述的保護(hù)層。本發(fā)明以研磨為主，化學(xué)腐蝕為輔；研磨針對特定局部區(qū)域進(jìn)行去除，不損傷下層芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)及其鍵合引線；化學(xué)腐蝕法將目標(biāo)芯片表面上覆蓋的保護(hù)層或芯片粘結(jié)劑去除，目標(biāo)芯片暴露；所得的目標(biāo)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)和芯片上的鍵合引線完整不受損，方便后續(xù)的電測分析。