本發(fā)明公開(kāi)了用于監(jiān)測(cè)和控制硅棒溫度的系統(tǒng)和方法。一個(gè)示例是在化學(xué)氣相沉積(CVD)過(guò)程期間監(jiān)測(cè)CVD反應(yīng)器中的至少一個(gè)硅棒的表面溫度的方法。該方法包括捕獲CVD反應(yīng)器的內(nèi)部的圖像。該圖像包括硅棒。掃描該圖像以識(shí)別硅棒的左邊緣和硅棒的右邊緣。識(shí)別在左邊緣和右邊緣中間的目標(biāo)區(qū)域。確定目標(biāo)區(qū)域中的硅棒的溫度。
聲明:
“用于監(jiān)測(cè)和控制硅棒溫度的方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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