本發(fā)明涉及一種太赫茲探測器件制備技術領域的分爐外延型硅基阻擋雜質帶太赫茲探測器的制備方法，包括如下步驟：將背封高導硅襯底放入化學氣相沉積的反應爐腔中；在高導硅襯底正面生長重摻雜吸收層；將重摻雜吸收層生長完畢的硅片從爐腔中取出，去除底板邊緣區(qū)域沉積的摻雜多晶硅及爐腔殘留的雜質；將硅片重新放回爐腔，去除硅片表面的氧化層后清潔爐腔；在重摻雜吸收層上繼續(xù)生長本征阻擋層；將本征阻擋層生長完畢的硅片從爐腔中取出，對硅片進行微納加工及器件封裝。本發(fā)明中吸收層與阻擋層分爐進行外延生長，有利于提高阻擋層的表面電阻率及減小吸收層和阻擋層的過渡區(qū)寬度，從而有效降低器件暗電流及延伸探測波長。