本發(fā)明是一種鋯鈦酸鉛薄膜紅外熱成像探測(cè)器 懸空結(jié)構(gòu)的制作方法，采用在硅片上鍍制一定厚度的氧化鎂薄 膜作為制作鋯鈦酸鉛薄膜非致冷焦平面紅外熱成像探測(cè)器懸 空結(jié)構(gòu)的犧牲層，并通過(guò)控制犧牲層的厚度來(lái)控制懸空高度； 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法制作 SiNx，用于平衡鋯鈦酸鉛薄膜的 應(yīng)力；應(yīng)用快速熱處理方法對(duì)共電極Ti/Pt以及鋯鈦酸鉛敏感 薄膜進(jìn)行快速熱處理，獲得高性能的鋯鈦酸鉛薄膜。本發(fā)明主 要解決了犧牲層材料的去除方法簡(jiǎn)單，并與其他結(jié)構(gòu)之間的相 容性好、在快速熱處理時(shí)對(duì)讀出電路的保護(hù)以及探測(cè)器的懸空 部分與基片連接的問(wèn)題，滿足了工業(yè)生產(chǎn)的客觀需要。