本發(fā)明一種基于二維材料Te/MoS2異質(zhì)結(jié)的光探測(cè)器的制備方法，包括以下步驟：采用機(jī)械剝離或化學(xué)氣相沉積制作含有二維MoS2的襯底一；制備含有二維Te的襯底二；轉(zhuǎn)移二維Te形成異質(zhì)結(jié)；光探測(cè)器件制備；對(duì)制備出的光探測(cè)器件進(jìn)行高壓退火處理；在器件制備過(guò)程中通過(guò)減小Te/MoS2異質(zhì)結(jié)中Te和MoS2的層間間距，將具有典型I型能帶排列結(jié)構(gòu)的Te/MoS2異質(zhì)結(jié)向II型能帶排列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，顯著提高了基于二維材料Te/MoS2異質(zhì)結(jié)光探測(cè)器的光探測(cè)靈敏度。