本發(fā)明提供了一種基于摻雜鉍銅硒氧薄膜的光、熱探測器。該探測器包括橫向熱電元件,在所述橫向熱電元件的上表面設置有兩個對稱的金屬電極作為電壓信號的輸出端,所述金屬電極通過電極引線將橫向熱電元件的電壓信號輸出端與電壓表輸入端相連接;所述橫向熱電元件包括c軸傾斜的氧化物單晶基片及生長在所述氧化物單晶基片上c軸傾斜的摻雜鉍銅硒氧薄膜,所述金屬電極設置在所述摻雜鉍銅硒氧薄膜的上表面;所述摻雜鉍銅硒氧薄膜的化學式為Bi1-xMxCuSeO,其中,M為Pb、Ba、Sr、Ca或Mg,0<x<0.2。本發(fā)明與基于本征鉍銅硒氧薄膜探測器相比,可大幅提升探測靈敏度并縮短響應時間。
聲明:
“基于摻雜鉍銅硒氧薄膜的光、熱探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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