本發(fā)明公開(kāi)了一種碲化銻光電探測(cè)器件及其制備方法，方法包括：在襯底上蒸鍍Sb₂Te₃薄膜生長(zhǎng)的催化層；在具有催化層的襯底上蒸鍍Sb₂Te₃薄膜；對(duì)Sb₂Te₃薄膜進(jìn)行退火處理；在完成退火處理的Sb₂Te₃薄膜上蒸鍍第一有機(jī)材料形成增強(qiáng)吸收層，形成襯底材料/Sb₂Te₃/第一有機(jī)材料異質(zhì)結(jié)；在異質(zhì)結(jié)兩端制備電極得到碲化銻光電探測(cè)器件或線列，在可見(jiàn)光?近紅外波段的吸收明顯提高并擁有較高的電子遷移率。本方法相比于化學(xué)氣相沉積法(CVD)、分子束外延(MBE)、磁控濺射等鍍膜方法，制備周期短，操作簡(jiǎn)單且制備的探測(cè)器性能優(yōu)異，對(duì)新型低維材料、拓?fù)浣^緣體光電探測(cè)器的研究提供了參考和理論實(shí)踐依據(jù)。