本發(fā)明涉及一種多晶碘化汞薄膜室溫核輻射探測器的制備方法,特別是一種X射線、Γ射線室溫核輻射探測器的制備方法,屬半導體探測器制備工藝技術(shù)領(lǐng)域。該探測器的制備方法是:先將在襯底基片上制得的由柱狀晶粒組成的多晶薄膜進行機械粗拋光、細拋光、表面化學腐蝕、清洗,晾干各工序,然后采用掩膜板蒸鍍電極,最后對探測器進行封裝和安裝固定。本發(fā)明制得的探測器在室溫下具有優(yōu)秀的X射線、Γ射線能量分辨率。
聲明:
“多晶碘化汞薄膜室溫核輻射探測器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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