本專利主要針對目前Low?K工藝
芯片分層問題而提出的一種新的檢測方法,通過該方法可以有效的對芯片分層問題進行分析定位,如果芯片存在分層問題,可以使用一種特殊的試劑對芯片進行浸泡,使其內(nèi)部金屬層與試劑發(fā)生化學反應,從而在芯片內(nèi)部產(chǎn)生不同的顏色,然后通過顏色來判定芯片分層的位置。
聲明:
“檢測Low-K工藝芯片分層問題的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)