本發(fā)明是關(guān)于一種化學(xué)氣相沉積的晶片及薄膜溫度的控制系統(tǒng)及其方法。該系統(tǒng)包括:承載盤繞著中心軸旋轉(zhuǎn),該承載盤包含多個晶片承載器分別承載晶片并進(jìn)行自轉(zhuǎn)。工藝氣體靠近該晶片的第一表面經(jīng)加熱反應(yīng)形成薄膜沉積在該第一表面上。均熱板設(shè)置于相對該晶片第一表面的第二表面。一個或多個溫度測量器用于獲得該均熱板相對于該晶片的反面溫度。以該反面溫度推測該晶片的晶片端溫度。本發(fā)明可避免晶片端溫度的測量受到工藝的干擾。
聲明:
“化學(xué)氣相沉積的晶片及薄膜溫度的控制系統(tǒng)及其方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)